Specific Process Knowledge/Characterization: Difference between revisions
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| Contact angle hydrophobic/hydrophillic||||||||||||||||||||||||||||||x|||||| | |||
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| | | Crystallinity||||||||||||||||||||||||||x||||||||x|| | ||
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| | | Deposition uniformity||||||||||x||x||x|||||||||||||||||||||| | ||
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| | | Electrical conductivity||||||||||||||||||||||||x|||||||||||| | ||
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| Element analysis||||x||||||||||||||x||x 4)||||||x 4)|||||||||| | | Element analysis||||x||||||||||||||x||x 4)||||||x 4)|||||||||| | ||
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| | | Film stress||||||||x||||||||||||||||||x|||||||||| | ||
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| Material Hardness||||||||||||||||||||||||||||||||x|||| | |||
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| | | Optical gap||||||||||||||x||||||x|||||||||||||||| | ||
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| | | Particles||x||x||x||||||||||||||||||||||||||||||x | ||
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| | | Phase changes||||||||||||||||||||||||||||||||||x|| | ||
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| Reflectivity||||||||||||x||x||||||x 6)|||||||||||||||| | | Reflectivity||||||||||||x||x||||||x 6)|||||||||||||||| | ||
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| Refractive index||||||||||||x||x|||||||||||||||||||||| | |||
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| Resistivity||||||||||||||||||||||x|||||||||||||| | | Resistivity||||||||||||||||||||||x|||||||||||||| | ||
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| | | Step coverage||x 1)||x 1)|||||||||||||||||||||||||||||||| | ||
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| | | Surface roughness||||||x||x||x|||||||||||||||||||||||||| | ||
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| | | Thermal conductivity|||||||||||||||||||||||||||||||||||| | ||
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| Voids in wafer bonding||||||||||||||||||||x|||||||||||||||| | | Voids in wafer bonding||||||||||||||||||||x|||||||||||||||| | ||
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| | | Wafer thickness||x 1)||x 1)||||||||||||x|||||||||||||||||||| | ||
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Revision as of 10:56, 26 October 2018
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Overview of characteristics and where to measure it
Optical Micro- scopes | SEM (incl. EDX) | AFM | Stylus profiler | Optical profiler | Filmtek (reflec- tometer) | Ellip- someter | Thickness stylus | XPS | PL mapper | 4-point probe | Probe station | XRD | Life time scanner | Drop shape analyser | Hardness tester | Differential Scanning Calorimeter DSC | Surfscan | |
Breakdown voltage | ||||||||||||||||||
Charge carrier life time | x | |||||||||||||||||
Contact angle hydrophobic/hydrophillic | x | |||||||||||||||||
Crystallinity | x | x | ||||||||||||||||
Deposition uniformity | x | x | x | |||||||||||||||
Electrical conductivity | x | |||||||||||||||||
Element analysis | x | x | x 4) | x 4) | ||||||||||||||
Film stress | x | x | ||||||||||||||||
Material Hardness | x | |||||||||||||||||
Optical gap | x | x | ||||||||||||||||
Particles | x | x | x | x | ||||||||||||||
Phase changes | x | |||||||||||||||||
Reflectivity | x | x | x 6) | |||||||||||||||
Refractive index | x | x | ||||||||||||||||
Resistivity | x | |||||||||||||||||
Step coverage | x 1) | x 1) | ||||||||||||||||
Surface roughness | x | x | x | |||||||||||||||
Thermal conductivity | ||||||||||||||||||
Thin film thickness | x 1) | x 1) | x 2) | x 2) | x | x | x | x 5) | x 3) | x | ||||||||
Voids in wafer bonding | x | |||||||||||||||||
Wafer thickness | x 1) | x 1) | x | |||||||||||||||
- Using the cross section method
- Using the create step method
- With known resistivity
- Composition information for crystalline materials
- Only single layer
- Good for characterization of VCSEL structures and DBR mirrors
Choose characterization topic
- Element analysis
- Measurement of film thickness and optical constants
- Photoluminescence mapping
- Sample imaging
- Sample preparation for inspection
- Stress measurement
- Hardness measurement
- Wafer thickness measurement
- Topographic measurement
- Contact angle measurement
- Four-Point Probe (Resistivity measurement)
- Carrier density (doping) profiler
- Scanning Electron Microscopy
Choose equipment
AFM
Element analysis
Optical and stylus profilers
Optical microscopes
Optical characterization
- Ellipsometer
- Filmtek 4000
- Prism Coupler
- PL mapper - Photoluminescence mapper
- Lifetime scanner MDPmap
SEMs at CEN
- FIB-SEM FEI QUANTA 200 3D
- Dual Beam FEI Helios Nanolab 600
- SEM FEI Nova 600 NanoSEM
- SEM FEI Quanta 200 ESEM FEG
- SEM Inspect S