Specific Process Knowledge/Characterization: Difference between revisions

|  width="50" align="center" style="background:#f0f0f0;"|'''Differential Scanning Calorimeter DSC

| Thin film thickness||x  1)||x  1)||x  2)||x  2)||x  ||x||x||||||x 5)||x  3)||||x||||||||

| Defects||x||||||||||||||||||x||||||||||||||

| Wafer thickness||x  1)||x  1)||||||||||||x||||||||||||||||||

| Step coverage||x  1)||x  1)||||||||||||||||||||||||||||||

| Particles||x||x||x||||||||||||||||||||||||||||

| Element analysis||||x||||||||||||||x||x  4)||||||x  4)||||||||

| Surface roughness||||||x||x||x||||||||||||||||||||||||

| Deposition uniformity||||||||||x||x||x||||||||||||||||||||

| Film stress||||||||x||||||||||||||||||x||||||||

| Refractive index||||||||||||x||x||||||||||||||||||||

| Reflectivity||||||||||||x||x||||||(x)||||||||||||||

| Resistivity||||||||||||||||||||||x||||||||||||

| Breakdown voltage||||||||||||||||||||||||||||||||||

| Electrical conductivity||||||||||||||||||||||||x||||||||||

| Thermal conductivity||||||||||||||||||||||||||||||||||

| Optical gap||||||||||||||x||||||x||||||||||||||

| Crystalinity||||||||||||||||||||||||||x||||||||x

| Charge carrier life time||||||||||||||||||||||||||||x||||||

| Contact angle hydrophobic/hydrophillic||||||||||||||||||||||||||||||x||||

| Material Hardness||||||||||||||||||||||||||||||||x||

| Voids in wafer bonding||||||||||||||||||||x||||||||||||||

| Phase changes||||||||||||||||||||||||||||||||||x