Specific Process Knowledge/Characterization: Difference between revisions
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| Wafer thickness||x 1)||x 1)||||||||||||x||||||||||||||||| | | Wafer thickness||x 1)||x 1)||||||||||||x|||||||||||||||||| | ||
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| Step coverage||x 1)||x 1)||||||||||||||||||||||||||||| | | Step coverage||x 1)||x 1)|||||||||||||||||||||||||||||| | ||
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| Particles||x||x||x||||||||||||||||||||||||||| | | Particles||x||x||x|||||||||||||||||||||||||||| | ||
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| Element analysis||||x||||||||||||||x||x 4)||||||x 4)||||||| | | Element analysis||||x||||||||||||||x||x 4)||||||x 4)|||||||| | ||
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| Surface roughness||||||x||x||x||||||||||||||||||||||| | | Surface roughness||||||x||x||x|||||||||||||||||||||||| | ||
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| Deposition uniformity||||||||||x||x||x||||||||||||||||||| | | Deposition uniformity||||||||||x||x||x|||||||||||||||||||| | ||
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| Film stress||||||||x||||||||||||||||||x||||||| | | Film stress||||||||x||||||||||||||||||x|||||||| | ||
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| Refractive index||||||||||||x||x||||||||||||||||||| | | Refractive index||||||||||||x||x|||||||||||||||||||| | ||
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| Reflectivity||||||||||||x||x||||||(x)||||||||||||| | | Reflectivity||||||||||||x||x||||||(x)|||||||||||||| | ||
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| Resistivity||||||||||||||||||||||x||||||||||| | | Resistivity||||||||||||||||||||||x|||||||||||| | ||
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| Breakdown voltage||||||||||||||||||||||||||||||||| | | Breakdown voltage|||||||||||||||||||||||||||||||||| | ||
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| Electrical conductivity||||||||||||||||||||||||x||||||||| | | Electrical conductivity||||||||||||||||||||||||x|||||||||| | ||
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| Thermal conductivity||||||||||||||||||||||||||||||||| | | Thermal conductivity|||||||||||||||||||||||||||||||||| | ||
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| Optical gap||||||||||||||x||||||x||||||||||||| | | Optical gap||||||||||||||x||||||x|||||||||||||| | ||
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| Crystalinity||||||||||||||||||||||||||x||||||| | | Crystalinity||||||||||||||||||||||||||x|||||||| | ||
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| Charge carrier life time||||||||||||||||||||||||||||x||||| | | Charge carrier life time||||||||||||||||||||||||||||x|||||| | ||
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| Contact angle hydrophobic/hydrophillic||||||||||||||||||||||||||||||x||| | | Contact angle hydrophobic/hydrophillic||||||||||||||||||||||||||||||x|||| | ||
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| Material Hardness||||||||||||||||||||||||||||||||x| | | Material Hardness||||||||||||||||||||||||||||||||x|| | ||
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| Voids in wafer bonding||||||||||||||||||||x||||||||||||| | | Voids in wafer bonding||||||||||||||||||||x|||||||||||||| | ||
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Revision as of 13:23, 18 October 2018
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Overview of characteristics and where to measure it
Optical Micro- scopes | SEM (incl. EDX) | AFM | Stylus profiler | Optical profiler | Filmtek (reflec- tometer) | Ellip- someter | Thickness stylus | XPS | PL mapper | 4-point probe | Probe station | XRD | Life time scanner | Drop shape analyser | Hardness tester | DSC Perkin Elmer | |
Thin film thickness | x 1) | x 1) | x 2) | x 2) | x | x | x | x 5) | x 3) | x | |||||||
Defects | x | x | |||||||||||||||
Wafer thickness | x 1) | x 1) | x | ||||||||||||||
Step coverage | x 1) | x 1) | |||||||||||||||
Particles | x | x | x | ||||||||||||||
Element analysis | x | x | x 4) | x 4) | |||||||||||||
Surface roughness | x | x | x | ||||||||||||||
Deposition uniformity | x | x | x | ||||||||||||||
Film stress | x | x | |||||||||||||||
Refractive index | x | x | |||||||||||||||
Reflectivity | x | x | (x) | ||||||||||||||
Resistivity | x | ||||||||||||||||
Breakdown voltage | |||||||||||||||||
Electrical conductivity | x | ||||||||||||||||
Thermal conductivity | |||||||||||||||||
Optical gap | x | x | |||||||||||||||
Crystalinity | x | ||||||||||||||||
Charge carrier life time | x | ||||||||||||||||
Contact angle hydrophobic/hydrophillic | x | ||||||||||||||||
Material Hardness | x | ||||||||||||||||
Voids in wafer bonding | x | ||||||||||||||||
- Using the cross section method
- Using the create step method
- With known resistivity
- Composition information for crystalline materials
- Only single layer
Choose characterization topic
- Element analysis
- Measurement of film thickness and optical constants
- Photoluminescence mapping
- Sample imaging
- Sample preparation for inspection
- Stress measurement
- Hardness measurement
- Wafer thickness measurement
- Topographic measurement
- Contact angle measurement
- Four-Point Probe (Resistivity measurement)
- Carrier density (doping) profiler
- Scanning Electron Microscopy
Choose equipment
AFM
Element analysis
Optical and stylus profilers
Optical microscopes
Optical characterization
- Ellipsometer
- Filmtek 4000
- Prism Coupler
- PL mapper - Photoluminescence mapper
- Lifetime scanner MDPmap
SEMs at CEN
- FIB-SEM FEI QUANTA 200 3D
- Dual Beam FEI Helios Nanolab 600
- SEM FEI Nova 600 NanoSEM
- SEM FEI Quanta 200 ESEM FEG
- SEM Inspect S