View source for Specific Process Knowledge/Thin film deposition/PECVD/Pre-release tests on PECVD4

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''This page is written and all tests done by Berit Herstrøm @DTU Nanolab''
== Test runs on PECVD4 before release in 2017==

{| border="1" style="text-align: center; width: 320px; height: 200px;"
|-

|colspan="20" style="text-align: center;" style="background: #efefef;" | '''Test of standard recipes, dep. rate, RI and stress'''

|-
!scope="row" |Recipe
!|Wafer ID
!|Dep. rate [nm/min]
!|RI
!|Unif. [%]
!|Stress [MPa]
!|Comments
!|SiH4 [sccm]
!|NH3 [sccm]
!|N2O [sccm]
!|N2 [sccm]
!|B2H6 [sccm]
!|PH3 [sccm]
!|Pressure [mTorr]
!|APC
!|Power [W]
!|Load
!|Tune
!|Temp [C]
!|Time [mm:ss]
|-
|-
!PREDEP <!--Recipe name-->
|s000008<!--Wafer ID-->
|377 nm/min<!--Dep. rate [Å/min]-->
|1.489<!--RI-->
|&plusmn;3.1%<!--Unif. [%]-->
|&nbsp;<!--Stress-->
|&nbsp;<!--Comments-->
|50<!--SiH4-->
|&nbsp;<!--NH3-->
|1800<!--N2O-->
|&nbsp;<!--N2-->
|&nbsp;<!--B2H6-->
|&nbsp;<!--PH3-->
|650<!--Pressure-->
|&nbsp;<!--APC-->
|200LF<!--Power-->
|~10<!--Load-->
|~53<!--Tune-->
|250/300<!--Temp-->
|04:00<!--Time-->
|-
|-
!LFSIO <!--Recipe name-->
|s000009<!--Wafer ID-->
|92 nm/min<!--Dep. rate [Å/min]-->
|1.480<!--RI-->
|&plusmn;1.9%<!--Unif. [%]-->
|&nbsp;<!--Stress-->
|Without carrier<!--Comments-->
|12<!--SiH4-->
|&nbsp;<!--NH3-->
|1420<!--N2O-->
|392<!--N2-->
|&nbsp;<!--B2H6-->
|&nbsp;<!--PH3-->
|550<!--Pressure-->
|&nbsp;<!--APC-->
|60LF<!--Power-->
|~10<!--Load-->
|~53<!--Tune-->
|250/300<!--Temp-->
|01:15<!--Time-->
|-
|-
!LFSIO <!--Recipe name-->
|s000011<!--Wafer ID-->
|78 nm/min<!--Dep. rate [Å/min]-->
|1.483<!--RI-->
|&plusmn;2.1%<!--Unif. [%]-->
|&nbsp;<!--Stress-->
|With carrier<!--Comments-->
|12<!--SiH4-->
|&nbsp;<!--NH3-->
|1420<!--N2O-->
|392<!--N2-->
|&nbsp;<!--B2H6-->
|&nbsp;<!--PH3-->
|550<!--Pressure-->
|&nbsp;<!--APC-->
|60LF<!--Power-->
|~10<!--Load-->
|~53<!--Tune-->
|250/300<!--Temp-->
|01:15<!--Time-->
|-
|-
!HFSiO <!--Recipe name-->
|s000012<!--Wafer ID-->
|64 nm/min<!--Dep. rate [Å/min]-->
|1.477<!--RI-->
|&plusmn;0.5%<!--Unif. [%]-->
|&nbsp;<!--Stress-->
|with carrier<!--Comments-->
|10<!--SiH4-->
|&nbsp;<!--NH3-->
|1420<!--N2O-->
|392<!--N2-->
|&nbsp;<!--B2H6-->
|&nbsp;<!--PH3-->
|900<!--Pressure-->
|&nbsp;<!--APC-->
|30HF<!--Power-->
|~55<!--Load-->
|~58<!--Tune-->
|250/300<!--Temp-->
|02:00<!--Time-->
|-
|-
!LFSiN <!--Recipe name-->
|s000013<!--Wafer ID-->
|43 nm/min<!--Dep. rate [Å/min]-->
|1.983<!--RI-->
|&plusmn;4.4%<!--Unif. [%]-->
|&nbsp;<!--Stress-->
|with carrier<!--Comments-->
|40<!--SiH4-->
|20<!--NH3-->
|&nbsp;<!--N2O-->
|1960<!--N2-->
|&nbsp;<!--B2H6-->
|&nbsp;<!--PH3-->
|550<!--Pressure-->
|&nbsp;<!--APC-->
|60LF<!--Power-->
|~10<!--Load-->
|~53<!--Tune-->
|250/300<!--Temp-->
|02:00<!--Time-->
|-
|-
!HFSiN <!--Recipe name-->
|S000015<!--Wafer ID-->
|12.4 nm/min<!--Dep. rate [Å/min]-->
|2.017<!--RI-->
|&plusmn;1.2%<!--Unif. [%]-->
|&nbsp;<!--Stress-->
|With carrier<!--Comments-->
|40<!--SiH4-->
|55<!--NH3-->
|&nbsp;<!--N2O-->
|1960<!--N2-->
|&nbsp;<!--B2H6-->
|&nbsp;<!--PH3-->
|900<!--Pressure-->
|&nbsp;<!--APC-->
|20HF<!--Power-->
|~56<!--Load-->
|~58<!--Tune-->
|250/300<!--Temp-->
|10:00<!--Time-->
|-
!MFSiN <!--Recipe name-->
|S000016<!--Wafer ID-->
|12.9 nm/min<!--Dep. rate [nm/min]-->
|2.038<!--RI-->
|&plusmn;1.7%<!--Unif. [%]-->
|&nbsp;<!--Stress-->
|With carrier<!--Comments-->
|40<!--SiH4-->
|40<!--NH3-->
|&nbsp;<!--N2O-->
|1960<!--N2-->
|&nbsp;<!--B2H6-->
|&nbsp;<!--PH3-->
|900<!--Pressure-->
|&nbsp;<!--APC-->
|20HF 6"/20LF 2"<!--Power-->
|63/25<!--Load-->
|33auto/92man<!--Tune-->
|250/300<!--Temp-->
|10:00<!--Time-->
|-
!MFSiN (error) <!--Recipe name-->
|S000016<!--Wafer ID-->
|46.8 nm/min<!--Dep. rate [Å/min]-->
|2.083<!--RI-->
|&plusmn;3.3%<!--Unif. [%]-->
|&nbsp;<!--Stress-->
|With carrier - 200W HF by mistake<!--Comments-->
|40<!--SiH4-->
|40<!--NH3-->
|&nbsp;<!--N2O-->
|1960<!--N2-->
|&nbsp;<!--B2H6-->
|&nbsp;<!--PH3-->
|900<!--Pressure-->
|&nbsp;<!--APC-->
|200HF 6"/20LF 2"<!--Power-->
|63/25<!--Load-->
|33auto/92man<!--Tune-->
|250/300<!--Temp-->
|10:00<!--Time-->
|-
|-
!LFSIO st <!--Recipe name-->
|s000019<!--Wafer ID-->
|75.4<!--Dep. rate [Å/min]-->
|1.480<!--RI-->
|&plusmn;2.7%<!--Unif. [%]-->
|compressive: 308.9 MPa<!--Stress-->
|Stress test 1µm - stress wafer no. 1<!--Comments-->
|12<!--SiH4-->
|&nbsp;<!--NH3-->
|1420<!--N2O-->
|392<!--N2-->
|&nbsp;<!--B2H6-->
|&nbsp;<!--PH3-->
|550<!--Pressure-->
|&nbsp;<!--APC-->
|60LF<!--Power-->
|~10<!--Load-->
|~53<!--Tune-->
|250/300<!--Temp-->
|13:00<!--Time-->
|-
|-
!HFSiO st <!--Recipe name-->
|S000020<!--Wafer ID-->
|63.1<!--Dep. rate [Å/min]-->
|1.476<!--RI-->
|&plusmn;0.3%<!--Unif. [%]-->
|compressive: 250.5 MPa<!--Stress-->
|Stress test 1µm - stress wafer no. 2<!--Comments-->
|10<!--SiH4-->
|&nbsp;<!--NH3-->
|1420<!--N2O-->
|392<!--N2-->
|&nbsp;<!--B2H6-->
|&nbsp;<!--PH3-->
|900<!--Pressure-->
|&nbsp;<!--APC-->
|30HF<!--Power-->
|~55<!--Load-->
|~58<!--Tune-->
|250/300<!--Temp-->
|16:00<!--Time-->
|-
|-
!LFSiN st <!--Recipe name-->
|S000021<!--Wafer ID-->
|40.4<!--Dep. rate [nm/min]-->
|1.984<!--RI-->
|&plusmn;3.9%<!--Unif. [%]-->
|Compressive: 565.4 MPa<!--Stress-->
|Stress test 1µm<!--Comments-->
|40<!--SiH4-->
|20<!--NH3-->
|&nbsp;<!--N2O-->
|1960<!--N2-->
|&nbsp;<!--B2H6-->
|&nbsp;<!--PH3-->
|550<!--Pressure-->
|&nbsp;<!--APC-->
|60LF<!--Power-->
|~10<!--Load-->
|~53<!--Tune-->
|250/300<!--Temp-->
|23:00<!--Time-->
|-
|-
!HFSiN st <!--Recipe name-->
|S000033<!--Wafer ID-->
|12.17 nm/min<!--Dep. rate [nm/min]-->
|2.021<!--RI-->
|&plusmn;1.6<!--Unif. [%]-->
|Tensile: 431.6 MPa<!--Stress-->
|Stress test 0.681 µm<!--Comments-->
|40<!--SiH4-->
|55<!--NH3-->
|&nbsp;<!--N2O-->
|1960<!--N2-->
|&nbsp;<!--B2H6-->
|&nbsp;<!--PH3-->
|900<!--Pressure-->
|&nbsp;<!--APC-->
|20HF<!--Power-->
|~56<!--Load-->
|~58<!--Tune-->
|250/300<!--Temp-->
|56:00<!--Time-->
|-
|-
!HFSiN st - 200W <!--Recipe name-->
|S000022<!--Wafer ID-->
|61.7<!--Dep. rate [Å/min]-->
|2.067<!--RI-->
|&plusmn;4.0%<!--Unif. [%]-->
|Tensile: 56.1MPa<!--Stress-->
|Stress test 3.456 µm<!--Comments-->
|40<!--SiH4-->
|55<!--NH3-->
|&nbsp;<!--N2O-->
|1960<!--N2-->
|&nbsp;<!--B2H6-->
|&nbsp;<!--PH3-->
|900<!--Pressure-->
|&nbsp;<!--APC-->
|200HF<!--Power-->
|~56<!--Load-->
|~58<!--Tune-->
|250/300<!--Temp-->
|56:00<!--Time-->
|-
|-
!MFSiN st <!--Recipe name-->
|S000024<!--Wafer ID-->
|13.0<!--Dep. rate [Å/min]-->
|2.044<!--RI-->
|&plusmn;1.7<!--Unif. [%]-->
|Tensile: 157 MPa<!--Stress-->
|Stress test ~700nm<!--Comments-->
|40<!--SiH4-->
|40<!--NH3-->
|&nbsp;<!--N2O-->
|1960<!--N2-->
|&nbsp;<!--B2H6-->
|&nbsp;<!--PH3-->
|900<!--Pressure-->
|&nbsp;<!--APC-->
|20HF 6"/20LF 2"<!--Power-->
|59/0<!--Load-->
|60auto/59man<!--Tune-->
|250/300<!--Temp-->
|60:00<!--Time-->
|-
|-
!MFSiN st HF: 200W <!--Recipe name-->
|S000024<!--Wafer ID-->
|46.2<!--Dep. rate [Å/min]-->
|2.087<!--RI-->
|&plusmn;3.6<!--Unif. [%]-->
|Tensile: 38.1 MPa<!--Stress-->
|Stress test ~700nm  - HF was running 200W by mistake<!--Comments-->
|40<!--SiH4-->
|40<!--NH3-->
|&nbsp;<!--N2O-->
|1960<!--N2-->
|&nbsp;<!--B2H6-->
|&nbsp;<!--PH3-->
|900<!--Pressure-->
|&nbsp;<!--APC-->
|200HF 6"/20LF 2"<!--Power-->
|59/0<!--Load-->
|60auto/59man<!--Tune-->
|250/300<!--Temp-->
|14:56<!--Time-->
|-
|-
!Standard Waveguide <!--Recipe name-->
|S000028<!--Wafer ID-->
|159.5<!--Dep. rate [nm/min]-->
|1.462<!--RI-->
|&plusmn;0.8<!--Unif. [%]-->
|Compressive: 121.9 MPa<!--Stress-->
|&nbsp;<!--Comments-->
|17<!--SiH4-->
|&nbsp;<!--NH3-->
|2000<!--N2O-->
|&nbsp;<!--N2-->
|&nbsp;<!--B2H6-->
|&nbsp;<!--PH3-->
|300<!--Pressure-->
|&nbsp;<!--APC-->
|700LF<!--Power-->
|~35<!--Load-->
|~40<!--Tune-->
|250/300<!--Temp-->
|40:00<!--Time-->
|-
|-
!D <!--Recipe name-->
|&nbsp;<!--Wafer ID-->
|D<!--Dep. rate [Å/min]-->
|D<!--RI-->
|D<!--Unif. [%]-->
|D<!--Stress-->
|D<!--Comments-->
|D<!--SiH4-->
|D<!--NH3-->
|D<!--N2O-->
|D<!--N2-->
|D<!--B2H6-->
|D<!--PH3-->
|D<!--Pressure-->
|D<!--APC-->
|D<!--Power-->
|D<!--Load-->
|D<!--Tune-->
|D<!--Temp-->
|D<!--Time-->
|-
|-
!D <!--Recipe name-->
|&nbsp;<!--Wafer ID-->
|D<!--Dep. rate [Å/min]-->
|D<!--RI-->
|D<!--Unif. [%]-->
|D<!--Stress-->
|D<!--Comments-->
|D<!--SiH4-->
|D<!--NH3-->
|D<!--N2O-->
|D<!--N2-->
|D<!--B2H6-->
|D<!--PH3-->
|D<!--Pressure-->
|D<!--APC-->
|D<!--Power-->
|D<!--Load-->
|D<!--Tune-->
|D<!--Temp-->
|D<!--Time-->
|-
|-
|}

===Run-to-Run Reproducibility===

{| border="1" style="text-align: center; width: 320px; height: 200px;"
|-

|colspan="19" style="text-align: center;" style="background: #efefef;" | '''Test of LFSiO at different chamber conditions'''

|-
!scope="row" |Recipe
!|Wafer ID
!|Dep. rate [nm/min]
!|RI
!|Unif. [%]
!|Comments
!|SiH4 [sccm]
!|NH3 [sccm]
!|N2O [sccm]
!|N2 [sccm]
!|B2H6 [sccm]
!|PH3 [sccm]
!|Pressure [mTorr]
!|APC
!|Power [W]
!|Load
!|Tune
!|Temp [C]
!|Time [mm:ss]
|-
|-
!LFSIO <!--Recipe name-->
|S000019<!--Wafer ID-->
|75.4<!--Dep. rate [nm/min]-->
|1.480<!--RI-->
|&plusmn;2.7%<!--Unif. [%]-->
|1 µm At 1.5 µm chamber deposition<!--Comments-->
|12<!--SiH4-->
|&nbsp;<!--NH3-->
|1420<!--N2O-->
|392<!--N2-->
|&nbsp;<!--B2H6-->
|&nbsp;<!--PH3-->
|550<!--Pressure-->
|&nbsp;<!--APC-->
|60LF<!--Power-->
|~10<!--Load-->
|~53<!--Tune-->
|250/300<!--Temp-->
|13:00<!--Time-->
|-
|-
!LFSIO <!--Recipe name-->
|s000026<!--Wafer ID-->
|76.2<!--Dep. rate [Å/min]-->
|1.481<!--RI-->
|&plusmn;3.5%<!--Unif. [%]-->
|1 µm At 8.4 µm chamber deposition<!--Comments-->
|12<!--SiH4-->
|&nbsp;<!--NH3-->
|1420<!--N2O-->
|392<!--N2-->
|&nbsp;<!--B2H6-->
|&nbsp;<!--PH3-->
|550<!--Pressure-->
|&nbsp;<!--APC-->
|60LF<!--Power-->
|~10<!--Load-->
|~53<!--Tune-->
|250/300<!--Temp-->
|13:00<!--Time-->
|-
|}

== BPSG ==

{| border="1" style="text-align: center; width: 320px; height: 200px;"
|-

|colspan="20" style="text-align: center;" style="background: #efefef;" | '''Test BPSG glass - boron and phosphorous doped glass'''

|-
!scope="row" |Recipe
!|Wafer ID
!|Dep. rate [nm/min]
!|RI
!|Unif. [%]
!|Stress [MPa]
!|Comments
!|SiH4 [sccm]
!|NH3 [sccm]
!|N2O [sccm]
!|N2 [sccm]
!|B2H6 [sccm]
!|PH3 [sccm]
!|Pressure [mTorr]
!|APC
!|Power [W]
!|Load
!|Tune
!|Temp [C]
!|Time [mm:ss]
|-
|-
!BPSG low stress <!--Recipe name-->
|S000037<!--Wafer ID-->
|302<!--Dep. rate [nm/min]-->
|1.4598<!--RI-->
|&plusmn;1.7%<!--Unif. [%]-->
|1.4 compressive<!--Stress [MPa]-->
|<!--Comments-->
|17<!--SiH4-->
|&nbsp;<!--NH3-->
|1600<!--N2O-->
|0<!--N2-->
|240<!--B2H6-->
|60<!--PH3-->
|500<!--Pressure-->
|&nbsp;<!--APC-->
|800LF<!--Power-->
|&nbsp;<!--Load-->
|&nbsp;<!--Tune-->
|250/300<!--Temp-->
|10:00<!--Time-->
|-
|-
!BPSG <!--Recipe name-->
|s000038<!--Wafer ID-->
|259<!--Dep. rate [Å/min]-->
|1.4593<!--RI-->
|&plusmn;1.7%<!--Unif. [%]-->
|36.7 compressive<!--Stress [MPa]-->
|<!--Comments-->
|17<!--SiH4-->
|&nbsp;<!--NH3-->
|1600<!--N2O-->
|0<!--N2-->
|135<!--B2H6-->
|40<!--PH3-->
|500<!--Pressure-->
|&nbsp;<!--APC-->
|800LF<!--Power-->
|&nbsp;<!--Load-->
|&nbsp;<!--Tune-->
|250/300<!--Temp-->
|10:00<!--Time-->
|-